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Vishay公布2017年新“Super 12”明星产品

时间:2017-05-08 来源:21ic 关键字:Vishay   无源元件   功率MOSFET   

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,公布2017年的“Super 12”明星产品。每一年,Vishay都会精选出12个采用新技术或改进技术,能够显著提高终端产品和系统性能的重要半导体和无源元器件。Vishay的“Super 12”精选产品彰显了公司在半导体和无源元件领域的领先实力,是Vishay广泛产品组合的集中体现。

本文引用地址: http://power.21ic.com//dc/infor/201705/54554.html

20170505_Super 12.jpg

2017年Super 12产品如下:

Vishay Siliconix SQJQ480E 80V N沟道 TrenchFET® 功率MOSFET - 这颗汽车级MOSFET采用厚度1.9mm的小尺寸PowerPAK® 8x8L封装,导通电阻低至3mΩ,可减小传导损耗和功率损耗,提高效率,而且可以在+175℃高温下工作。

Vishay T59系列vPolyTanTM多阳极聚合物表面贴装片式电容器 - T59系列采用聚合物钽技术和Vishay的专利多阵列包装(MAP),实现了业内最高的容值密度,同时保持25mΩ的最佳ESR。电容器采用模塑EE(7343-43)外形编码,单位体积效率比类似器件高25%。

Vishay Semiconductors VCNL4035X01接近和环境光传感器 - 全集成的VCNL4035X01在小尺寸表面贴装封装里组合了接近和环境光的光探测器、信号调理IC、16位ADC,以及最多支持3个外置IRED的驱动,可用于便携式电子产品和智能家居中的手势识别、工业和汽车应用。

Vishay Dale WSLF2512 SMD Power Metal Strip®检流电阻 - WSLF2512的额定功率达6W,电阻芯的TCR低至±20ppm/℃,电阻值只有0.0003Ω,外形尺寸为2512,功率密度达到192W/平方英寸(0.3W/mm2),在高功率电路中能节省电路板空间。

Vishay Semiconductors VTVSxxASMF系列SMD TVS保护二极管 - VTVSxxASMF系列器件是业内首批实现2%雪崩击穿电压容差TVS,采用超薄SMF封装,可承受400W、10/1000μs的高浪涌,适用于便携式电子产品。

Vishay Dale IHLE-5A系列超薄、大电流电感器 - 汽车级IHLE-5A系列器件的外形尺寸为2525、3232和4040,采用能减小EMI的集成屏蔽,不需要使用分立的板级Faraday屏蔽,从而降低成本,节省电路板空间。

Vishay Siliconix SiC462同步microBUCK®稳压器 - SiC462集成了高边和低边MOSFET,在最高1MHz开关频率下能连续输出6A电流,可调的输出电压低至0.8V,输入电压为4.5V~60V。

Vishay MKP1847H交流滤波膜电容器 - MKP1847H经过精心设计,能保证在各种工作条件下都保持极为稳定的电容和ESR参数。该电容器非常适合高湿环境,是业内首颗在额定电压下完成1000小时的苛刻的耐湿性测试(85℃,85%相对湿度)的器件。

Vishay Semiconductors 10A~30A FRED Pt® Ultrafast整流器 - Vishay的这款超快整流器采用SMPD封装,高度只有1.7mm,与TO-263封装兼容。这颗器件通过AEC-Q101认证,可用于汽车和工业应用,能在+175℃高温下工作,恢复时间只有25ns。

Vishay Dale IHXL-2000VZ-5A电感器 - IHXL-2000VZ-5A是业内首颗通过AEC-Q200认证,在电感减小20%情况下饱和电流达到190A的电感器。器件的尺寸为50.8mm x 50.8mm x 21.5mm,其2000外形尺寸是这类复合材料电感器中最大的。

Vishay Siliconix SiRA20DP 25V N沟道TrenchFET功率MOSFET - SiRA20DP在10V下的导通电阻低至0.58mΩ,可减少传导功率损耗,提高功率密度,其典型栅极电荷为61nC,可实现高效的DC/DC转换。

Vishay DCRF水冷功率绕线电阻 - DCRF电阻的功率耗散高达9000W,功率处理能力比相同尺寸采用自然冷却的电阻高10倍。电阻采用小尺寸的模块化设计,高过载承受能力(2倍标称功率下保持60秒)。

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