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安森美半导体宽禁带技术——支持大趋势应用

时间:2019-11-20 来源:安森美半导体 关键字:宽禁带技术   

最重要的应用和当前电子领域大趋势越来越需要超越常规硅器件的高压、高频和高温性能。

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使用诸如碳化硅(SiC)等材料的宽禁带半导体技术正在兴起,为重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC和电动汽车车载充电器以及太阳能、不间断电源和服务器电源带来显著的好处和增强的可靠性。

安森美半导体包括二极管、驱动器和MOSFET的SiC阵容,以及正发展成一个整体生态系统的产品,因新推出的两款MOSFET – 工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1而得以增强。

如典型的宽禁带SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1结合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位,可显著降低运行成本和整体系统尺寸。典型的宽禁带半导体特性,尤其是更高的能效,意味着更低的功耗直接减少热管理问题。这不仅减少物料单(BoM)成本,还有助于产品整体尺寸和重量的进一步减少。

这些特性特别适合功率需求巨大的应用如云服务器中心,随着中心扩展以解决数据和云存储无止尽的需求,功率需求还在不断增长。多个领域节省的少量功率和更高能效所节省的能源,相当于节省了几十万美元的成本,也避免了复杂的热管理问题。

这种性能好处在汽车应用中也很有价值,最小化功耗/最大化能效乃至减轻几克都会影响燃油能效,或对于电动汽车则能增加里程。

对于所有应用,SiC宽禁带半导体减少的电磁干扰(EMI)是受欢迎的,消除了设计过程中的一些未知因素和最终增强了系统可靠性。

对于着手用相对新的、也因此不熟悉的SiC半导体技术开发方案的设计工程师,资源如器件仿真工具、SPICE模型和应用信息在通过设计流程引导他们和帮助他们完成优化的设计以应对高频、高功率电路特有的挑战至关重要

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