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多颗MOS管的并联应用研究

时间:2018-06-13 来源:互联网

 1.MOS管并联的可行性分析
由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大,如果在并联过程中由于某种原因(比如RDSON比较低,电流路径比较短等)导致某颗MOS管的电流比较大,这颗MOS管会发热比较严重,内阻会升高比较多,电流就会降下来,由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。

本文引用地址: http://power.21ic.com//poc/technical/201806/63846.html


 2.MOS管的并联电路
理论上MOS管可以由N颗并联,实际上MOS管并联多了容易引起走线很长,分布电感电容加大,对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下


上图中,R1-4为栅极驱动电阻,每个MOS管都由独立的栅极驱动电阻隔离驱动,主要是可以防止各个MOS管的寄生振荡,起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢?如果取值过小,可能就起不到防止各个MOS管的寄生振荡的作用,如果取值大了,开关速度会变慢,由于每个MOS管的结电容会有细微的不同,结果取值过大还会导致各个MOS管的导通速度相差比较大,所以R1-4在能够防止各个MOS管的寄生振荡的情况下尽量小到可以满足开关速度。
关于R5-R8的栅极下拉电阻,主要作用是在驱动IC损坏开路的情况下可以防止MOS管的误导通。在某些特殊的应用场合下,比如对待机电流有限制的电池保护板,这个电阻往往取值很大甚至没有,这样栅极的阻抗会比较高,极易感应比较高的静电损坏MOS管的栅极。这种应用最好在栅源极之间并联一个15V左右的稳压管。
 3.MOS管的并联对布线的要求
大家知道,多个MOS管并联,漏极和源极的走线都需要通过多个MOS管的总电流,理论上计算,如果要达到单个MOS管的电流不偏移平均电流的10%,那么总线上的总阻抗一定要控制在所有MOS管并联后的内阻的10%以内。比如过50A的电流,由我们的RU75N08R 4颗并联, RU75N08典型是8mΩ,并联后就是2 mΩ,那么漏极或源极的走线电阻需要控制在2 mΩ*10%=0.2 mΩ以内才能保证10%的均流误差。如果PCB铜箔厚度和宽度有限,我们可以加焊铜线或通过散热片达到这个低的走线内阻。

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