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高性能GaN器件

时间:2019-08-27 来源: 关键字:GaN   器件   功率   

随着社会的不断进步,技术的不断发展,科技产品也日新月异,产品都需要功率器件,好的功率器件需要更好的设计者来设计,功率器件对电子产品是功不可没的。2015年3月20日,德国慕尼黑和日本大阪讯——英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。

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某碳化硅器件

在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止,没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合,双方商定不披露任何其他合同细节。

作为新一代化合物半导体技术,硅基板GaN技术备受关注。一方面,它可以实现很高的功率密度,从而缩小设备的外形尺寸(如电源和适配器);另一方面,它是提高能效的关键。一般而言,基于硅基板GaN技术的功率器件适用于各种领域,从高压工业设备,如服务器电源(这也是600V GaN器件的潜在应用领域之一),到低压设备,如直流-直流转换器(如在高端消费电子产品中)。

IHS发布的市场研究报告显示,与硅基板GaN技术相关的功率半导体市场,将以高达50%以上的复合年增长率(CAGR)增长,也就是说,到2023年,其市场容量将从2014年的1500万美元,增至8亿美元。技术的不断发展,也推动了功率器件的不断更新,这也需要我们年轻的科研人员更加努力,学好专业知识,这样才能赶得上社会的发展。

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